Метод вимірювання термоелектричної добротності напівпровідникових матеріалів

Abstract

Проведено аналіз різноманітних методів вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідників. Запропоновано новий підхід для визначення термоелектричної добротності напівпровідникового матеріалу в широкому інтервалі температур (300÷1000)К шляхом безпосереднього вимірювання ряду параметрів електричного кола, до складу якого входить спеціальна вимірювальна комірка. Детально описано теорію методу, застосування її у методиці вимірювань та зроблено оцінку похибки експерименту

Проведен анализ различных методов измерения термоэлектрических параметров полупроводников. Предложен новый подходом к определение термоэлектрической добротности полупроводникового материала в широком интервале температур (300 ÷ 1000) К путем непосредственного измерения ряда параметров электрической цепи, в состав которого входит специальная измерительная ячейка. Подробно описано теорию метода, применение ее в методике измерений и произведена оценка погрешности эксперимента.

Analysis of various methods for measurement of semiconductors’ thermo-electrical properties is done. New approach for determination of thermoelectrical figure of merit of semiconductor materials in wide range of temperatures (from 300 to 1000 K) is proposed using direct measurement of electrical circuit parameters which includes special measurement cell. The theoretical background of the method, its application in measurement technique is described in detail as well as experimental accuracy assessment is done.