Skip navigation
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elar.nung.edu.ua/handle/123456789/6753
Назва: Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS
Автори: Галущак, М. О.
Фреїк, Д. М.
Борик, В. В.
Ткачук, А. І.
Карпаш, М. О.
Дата публікації: 2011
Видавництво: Державна служба інтелектуальної власності України
Бібліографічний опис: Пат. 60221 U Україна, МПК B82B 3/00. Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS / Галущак М. О., Фреїк Д. М., Борик В. В., Ткачук А. І., Карпаш М. О. ; заявник і патентовласник Івано-Франків. нац. техн. ун-т нафти і газу. - № u 201014821 ; заявлено 10.12.2010 ; опубл. 10.06.2011, Бюл. № 11. – 2 с. : іл.
Короткий огляд (реферат): Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки Tв , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі Тп , який відрізняється тим, що температура випарника складає Tв  (97010) , температура підкладки - Тп  (540 5)К , а товщина отриманих наноструктур - (18-22) нм.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elar.nung.edu.ua/handle/123456789/6753
Розташовується у зібраннях:Патенти на корисну модель

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
60221.pdf172.48 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики  Google Scholar


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.